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INS1001DE 是英諾賽科推出的一款用于驅(qū)動(dòng) GaN FET 的單通道驅(qū)動(dòng)器。 這款驅(qū)動(dòng)器適用于低側(cè)、高側(cè)或次級(jí)側(cè)同步整流（SR）應(yīng)用。

INS1001DE 的工作電壓范圍為 6V 至 20V，并提供靈活的 PWM/PWMB 雙輸入控制方式。 為了便于調(diào)節(jié) GaN FET 的開啟和關(guān)閉速度，該驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立的上拉和下拉驅(qū)動(dòng)輸出，其上拉電阻為 1.3Ω，下拉電阻為 0.5Ω，驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)。 INS1001DE 具有帶輸入去偏振的快速傳播延遲，用戶還可以根據(jù)需求調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 芯片內(nèi)部集成了一個(gè) 5V LDO，可為數(shù)字隔離器或其他電路提供電源。

此外，INS1001DE 還內(nèi)置了 UVLO、OVP、OTP 等保護(hù)功能，提高了系統(tǒng)的可靠性。 INS1001DE 采用 DFN3x3-10L 封裝。 其應(yīng)用市場(chǎng)涵蓋多種開關(guān)模式電源，包括 AC-DC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器，Boost、Flyback 和 Forward 轉(zhuǎn)換器，半橋和全橋轉(zhuǎn)換器，同步整流，以及太陽能逆變器、電機(jī)控制和 UPS 等領(lǐng)域。 與同類產(chǎn)品相比，INS1001DE 在輸入電壓范圍、驅(qū)動(dòng)能力和保護(hù)功能方面具有優(yōu)勢(shì)。 在儲(chǔ)能電源方案中，INS1001DE 已被應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)管，有助于降低系統(tǒng)損耗并提升效率。

INS1001DE_Datasheet_Rev_1.0.pdf